Nano Imprinting Machine（ナノインプリンティングマシン）
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、フォトリソグラフィに比べて大幅に低コストでナノスケールの表面構造を形成する技術です。精密設計されたモールドとサーボ制御による均一加圧により、サブ100nmのパターン転写を実現いたします。UV硬化方式と熱インプリント方式の両モードに対応しております。
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、フォトリソグラフィに比べて大幅に低コストでナノスケールの表面構造を形成する技術です。精密設計されたモールドとサーボ制御による均一加圧により、サブ100nmのパターン転写を実現いたします。UV硬化方式と熱インプリント方式の両モードに対応しております。
100nm未満のフィーチャーサイズに対応 — ナノLEDのピッチ制御、反射防止構造、回折光学素子、半導体デバイスフィーチャーの形成を、EUVと比較して大幅に低コストで実現いたします。
UV硬化：常温・高速サイクル。熱インプリント：最大200℃まで対応し、より幅広い基板に適合いたします。プロセスモードはレシピで選択可能です。
基板全面にわたり均一な力をアクティブに制御 — モールドエッジ付近の欠陥のないパターン転写に不可欠です。
2モデル展開：ANT-4（UV光硬化式）およびANT-6H（UV＋熱硬化ハイブリッド式）。カスタム設計・製造にも対応いたします。
PATENTS
インプリントローラーオートレベリングシステム（韓国特許 第10-2015-0072634号）・インプリント装置（韓国特許 第10-1408741号）・韓国 0522040／米国 7,140,866 B2・韓国 0585951／米国 7,202,935 B2・PCT/KR2006/002230
| ANT-4 — UV光硬化式ナノインプリンティング | |
| 硬化方式 | UV（紫外線） |
|---|---|
| スタンプ材 | Quartz · Si · PFPE · PDMS · PC |
| ウェハサイズ | 1 ~ 4 inch |
| インプリント圧力 | ≤ 2 bar · 常温 |
| インプリントモード | Single Layer / Single Step |
| インプリントヘッド | Chip-size Multi-Head · Multiple Fixturing / Air Chucking |
| XYZステージ | Stroke 250 × 120 × 25 mm · Z Sliding Unit |
| UVシステム | 40 mW/cm² (2 kW) |
| 防振 | Cut-off 1 ~ 1.5 Hz |
| コントローラー | UMAC-2 |
| ANT-6H — 熱＆UVハイブリッドナノインプリンティング | |
| 硬化方式 | UV · 熱 · UV＋熱ハイブリッド |
| スタンプ材 | Quartz · Si · Ni |
| ウェハサイズ | 1 ~ 6 inch |
| インプリントモード | Multi-Layer / Multi-Step |
| 特許 | 韓国特許 第0585951号・米国 US 7,202,935 B2・PCT/KR2006/002230（出願中：0043670） |
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